메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61DDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,902
IS61DDB41M36C-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,078
IS61DDB42M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.85ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,438
IS61DDB42M18-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.85ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,928
IS61DDB42M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음5,940
IS61DDB42M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,686
IS61DDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.4ns 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,276
IS61DDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,136
IS61DDB44M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음6,930
IS61DDB451236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,532
IS61DDP2B21M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음4,086
IS61DDP2B21M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,226
IS61DDP2B22M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,118
IS61DDP2B22M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,580
IS61DDP2B24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음2,502
IS61DDP2B251236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,326
IS61DDP2B41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,978
IS61DDP2B41M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,730
IS61DDP2B42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음4,824
IS61DDP2B42M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,730
IS61DDP2B44M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,816
IS61DDP2B451236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,676
IS61DDPB21M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,834
IS61DDPB21M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음8,802
IS61DDPB22M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음5,634
IS61DDPB22M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,618
IS61DDPB24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음4,817
IS61DDPB251236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음6,120
IS61DDPB41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음6,480
IS61DDPB41M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음3,798

IS61DDB41M36C-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음7,902

IS61DDB41M36C-300M3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.4ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음3,078

IS61DDB42M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.85ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음3,438

IS61DDB42M18-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.85ns
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음8,928

IS61DDB42M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61DDPB21M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP
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패키지 / 케이스: 165-LBGA
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