메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43TR16128C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,048
IS43TR16128C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,578
IS43TR16128C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,052
IS43TR16128C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,768
IS43TR16128CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음23,858
IS43TR16128CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,454
IS43TR16128CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음32,028
IS43TR16128CL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,754
IS43TR16128CL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,100
IS43TR16128CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,284
IS43TR16128CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,434
IS43TR16128D-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,392
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,812
IS43TR16128D-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,704
IS43TR16128D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,950
IS43TR16128DL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,172
IS43TR16128DL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,164
IS43TR16128DL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,344
IS43TR16128DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,024
IS43TR16256A-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,982
IS43TR16256A-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,178
IS43TR16256A-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,794
IS43TR16256A-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,704
IS43TR16256A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,046
IS43TR16256A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음23,350
IS43TR16256A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,449
IS43TR16256A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,474
IS43TR16256A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,727
IS43TR16256A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음17,226
IS43TR16256A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,138

IS43TR16128C-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음6,048

IS43TR16128C-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음7,578

IS43TR16128C-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음2,052

IS43TR16128C-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음6,768

IS43TR16128CL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

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IS43TR16128CL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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IS43TR16128CL-125KBL-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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IS43TR16128CL-15HBL

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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IS43TR16128CL-15HBLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43TR16128CL-15HBL-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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IS43TR16128D-107MBLI

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2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

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2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43TR16128DL-125KBLI

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2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IS43TR16256A-107MBLI

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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IS43TR16256A-107MBLI-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IS43TR16256A-107MBL-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
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IS43TR16256A-125KBL

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
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전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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IS43TR16256A-125KBLI

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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재고 있음23,350

IS43TR16256A-125KBLI-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음6,449

IS43TR16256A-125KBL-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
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IS43TR16256A-15HBL

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

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