메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43R16320F-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음7,938
IS43R16320F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음7,398
IS43R16320F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음2,628
IS43R16320F-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음2,718
IS43R16320F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,546
IS43R16320F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음7,128
IS43R16320F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음6,696
IS43R16320F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음4,482
IS43R16320F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음3,132
IS43R16320F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)	재고 있음3,418
IS43R16320F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음7,218
IS43R16320F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,550
IS43R16320F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,120
IS43R16800A-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,096
IS43R16800C-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,354
IS43R16800E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,496
IS43R16800E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음4,086
IS43R16800E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음5,364
IS43R16800E-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음5,850
IS43R16800E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음5,346
IS43R16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,996
IS43R16800E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,264
IS43R16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음2,214
IS43R32160D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음2,628
IS43R32160D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음4,176
IS43R32160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음6,336
IS43R32160D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.5V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음8,532
IS43R32400E-4B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 16ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음5,022
IS43R32400E-4BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 16ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음4,860
IS43R32400E-4BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 16ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-LFBGA 공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)	재고 있음4,374

IS43R16320F-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음7,938

IS43R16320F-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음7,398

IS43R16320F-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음2,628

IS43R16320F-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음2,718

IS43R16320F-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,546

IS43R16320F-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음7,128

IS43R16320F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음6,696

IS43R16320F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음4,482

IS43R16320F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음3,132

IS43R16320F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (13x8)

재고 있음3,418

IS43R16320F-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음7,218

IS43R16320F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,550

IS43R16320F-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,120

IS43R16800A-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,096

IS43R16800C-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,354

IS43R16800E-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,496

IS43R16800E-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음4,086

IS43R16800E-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음5,364

IS43R16800E-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음5,850

IS43R16800E-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음5,346

IS43R16800E-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,996

IS43R16800E-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,264

IS43R16800E-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음2,214

IS43R32160D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음2,628

IS43R32160D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음4,176

IS43R32160D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음6,336

IS43R32160D-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.5V ~ 2.7V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음8,532

IS43R32400E-4B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 16ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음5,022

IS43R32400E-4BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 16ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음4,860

IS43R32400E-4BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 16ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-LFBGA
공급자 장치 패키지: 144-LFBGA (12x12)

재고 있음4,374

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