메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS42SM32400G-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,082
IS42SM32400G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,454
IS42SM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,308
IS42SM32400G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,536
IS42SM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,034
IS42SM32400H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,516
IS42SM32400H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,048
IS42SM32400H-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,902
IS42SM32400H-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,506
IS42SM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,182
IS42SM32800D-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,858
IS42SM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,184
IS42SM32800D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,066
IS42SM32800D-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,966
IS42SM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,246
IS42SM32800E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,508
IS42SM32800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,870
IS42SM32800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,290
IS42SM32800K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,934
IS42SM32800K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,068
IS42SM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,172
IS42SM32800K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,150
IS42VM16160D-8BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)	재고 있음7,884
IS42VM16160D-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)	재고 있음2,178
IS42VM16160D-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)	재고 있음2,520
IS42VM16160D-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)	재고 있음8,748
IS42VM16160D-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,808
IS42VM16160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음4,428
IS42VM16160E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음5,184
IS42VM16160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음3,544

IS42SM32400G-75BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,082

IS42SM32400G-75BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,454

IS42SM32400G-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음7,308

IS42SM32400G-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음4,536

IS42SM32400H-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음2,034

IS42SM32400H-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,516

IS42SM32400H-75BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IS42SM32400H-75BLI

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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시계 주파수: 133MHz
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음5,508

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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시계 주파수: 133MHz
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: 6ns
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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시계 주파수: 166MHz
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재고 있음2,934

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
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IS42SM32800K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
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패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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패키지 / 케이스: 54-TFBGA
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재고 있음7,884

IS42VM16160D-8BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
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접근 시간: 6ns
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패키지 / 케이스: 54-TFBGA
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재고 있음2,178

IS42VM16160D-8BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)

재고 있음2,520

IS42VM16160D-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x13)

재고 있음8,748

IS42VM16160D-8TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,808

IS42VM16160E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음4,428

IS42VM16160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음5,184

IS42VM16160E-75BLI

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

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