Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 821/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
IS41LV16100B-60KLI-TR
IS41LV16100B-60KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음8,226
IS41LV16100B-60KL-TR
IS41LV16100B-60KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음3,852
IS41LV16100B-60TL
IS41LV16100B-60TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,628
IS41LV16100B-60TLI
IS41LV16100B-60TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,256
IS41LV16100B-60TLI-TR
IS41LV16100B-60TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음7,506
IS41LV16100B-60TL-TR
IS41LV16100B-60TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,094
IS41LV16100C-50KLI
IS41LV16100C-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음2,476
IS41LV16100C-50KLI-TR
IS41LV16100C-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음6,462
IS41LV16100C-50TI
IS41LV16100C-50TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.97V ~ 3.63V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 50/44-TSOP II
재고 있음5,940
IS41LV16100C-50TI-TR
IS41LV16100C-50TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 2.97V ~ 3.63V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 50/44-TSOP II
재고 있음6,210
IS41LV16100C-50TLI
IS41LV16100C-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,510
IS41LV16100C-50TLI-TR
IS41LV16100C-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,006
IS41LV16100D-50KLI
IS41LV16100D-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음7,632
IS41LV16100D-50KLI-TR
IS41LV16100D-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음3,888
IS41LV16100D-50TLI
IS41LV16100D-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 50/44-TSOP II
재고 있음5,346
IS41LV16100D-50TLI-TR
IS41LV16100D-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - EDO
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
  • 공급자 장치 패키지: 50/44-TSOP II
재고 있음4,590
IS41LV16105B-50KL
IS41LV16105B-50KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음8,352
IS41LV16105B-50KLI
IS41LV16105B-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음8,172
IS41LV16105B-50KLI-TR
IS41LV16105B-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음7,470
IS41LV16105B-50KL-TR
IS41LV16105B-50KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음5,454
IS41LV16105B-50TL
IS41LV16105B-50TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,636
IS41LV16105B-50TLI
IS41LV16105B-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음4,068
IS41LV16105B-50TLI-TR
IS41LV16105B-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,238
IS41LV16105B-50TL-TR
IS41LV16105B-50TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,784
IS41LV16105B-60KL
IS41LV16105B-60KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음6,372
IS41LV16105B-60KLI
IS41LV16105B-60KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음3,600
IS41LV16105B-60KLI-TR
IS41LV16105B-60KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음5,040
IS41LV16105B-60KL-TR
IS41LV16105B-60KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 42-SOJ
재고 있음6,912
IS41LV16105B-60TL
IS41LV16105B-60TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,040
IS41LV16105B-60TLI
IS41LV16105B-60TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: DRAM - FP
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 30ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,580