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IDT71V424S10PH
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,730
IDT71V424S10PH8
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음7,974
IDT71V424S10PHI
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,480
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,778
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음4,338
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음2,466
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음4,986
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
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IDT71V424S12PH
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,088
IDT71V424S12PH8
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,588
IDT71V424S12PHI
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음4,356
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,430
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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재고 있음4,374
IDT71V424S12Y8
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음7,344
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음2,556
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
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  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음8,388
IDT71V424S15PH
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,780
IDT71V424S15PH8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,768
IDT71V424S15PHI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음5,166
IDT71V424S15PHI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음4,284
IDT71V424S15Y
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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음3,546
IDT71V424S15Y8
IDT71V424S15Y8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음3,490
IDT71V424S15YI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음7,254
IDT71V424S15YI8
IDT71V424S15YI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 36-SOJ
재고 있음2,700
IDT71V424YL10PH
IDT71V424YL10PH

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,592
IDT71V424YL10PH8
IDT71V424YL10PH8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음3,544
IDT71V424YL10PHI
IDT71V424YL10PHI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음7,092
IDT71V424YL10PHI8
IDT71V424YL10PHI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,208
IDT71V424YL12PH
IDT71V424YL12PH

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,538
IDT71V424YL12PH8
IDT71V424YL12PH8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음4,212