메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IDT71V2576S133PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음2,934
IDT71V2576S133PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음5,616
IDT71V2576S133PFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,410
IDT71V2576S133PFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음8,118
IDT71V2576S150PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음6,372
IDT71V2576S150PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음2,808
IDT71V2576S150PFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음3,544
IDT71V2576S150PFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음5,778
IDT71V2576YS150PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음2,898
IDT71V2576YS150PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음8,928
IDT71V2576YS150PFG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음7,218
IDT71V2576YS150PFG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 150MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 3.8ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음3,546
IDT71V3556S100BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,600
IDT71V3556S100BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,354
IDT71V3556S100BGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음4,230
IDT71V3556S100BGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음4,950
IDT71V3556S100BQ IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음5,364
IDT71V3556S100BQ8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음4,338
IDT71V3556S100BQG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음5,940
IDT71V3556S100BQG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음8,154
IDT71V3556S100BQGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음3,168
IDT71V3556S100BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,812
IDT71V3556S100BQI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음6,624
IDT71V3556S100BQI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)	재고 있음7,218
IDT71V3556S100PF IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,662
IDT71V3556S100PF8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,734
IDT71V3556S100PFI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음4,950
IDT71V3556S100PFI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)	재고 있음6,444
IDT71V3556S133BG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음6,840
IDT71V3556S133BG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 4.2ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음3,436

IDT71V2576S133PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음2,934

IDT71V2576S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음5,616

IDT71V2576S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음4,410

IDT71V2576S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음8,118

IDT71V2576S150PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음6,372

IDT71V2576S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음2,808

IDT71V2576S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음3,544

IDT71V2576S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음5,778

IDT71V2576YS150PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
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전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음2,898

IDT71V2576YS150PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
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접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음8,928

IDT71V2576YS150PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음7,218

IDT71V2576YS150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 150MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 3.8ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음3,546

IDT71V3556S100BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,600

IDT71V3556S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음6,354

IDT71V3556S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음4,230

IDT71V3556S100BGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음4,950

IDT71V3556S100BQ

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음5,364

IDT71V3556S100BQ8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음4,338

IDT71V3556S100BQG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음5,940

IDT71V3556S100BQG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음8,154

IDT71V3556S100BQGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음3,168

IDT71V3556S100BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음7,812

IDT71V3556S100BQI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음6,624

IDT71V3556S100BQI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TBGA
공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)

재고 있음7,218

IDT71V3556S100PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
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재고 있음4,662

IDT71V3556S100PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음4,734

IDT71V3556S100PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음4,950

IDT71V3556S100PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

재고 있음6,444

IDT71V3556S133BG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음6,840

IDT71V3556S133BG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 4.2ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음3,436

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