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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
FM27C256V120
FM27C256V120

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EPROM
  • 기술: EPROM - OTP
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)
재고 있음3,150
FM27C256V150
FM27C256V150

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EPROM
  • 기술: EPROM - OTP
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)
재고 있음2,358
FM27C512Q120
FM27C512Q120

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EPROM
  • 기술: EPROM - UV
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
  • 공급자 장치 패키지: 28-CDIP
재고 있음5,058
FM27C512Q150
FM27C512Q150

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EPROM
  • 기술: EPROM - UV
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
  • 공급자 장치 패키지: 28-CDIP
재고 있음8,424
FM27C512Q90
FM27C512Q90

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EPROM
  • 기술: EPROM - UV
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
  • 공급자 장치 패키지: 28-CDIP
재고 있음5,436
FM28V020-SG
FM28V020-SG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 140ns
  • 접근 시간: 140ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-SOIC
재고 있음8,780
FM28V020-SGTR
FM28V020-SGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 140ns
  • 접근 시간: 140ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-SOIC
재고 있음170,979
FM28V020-T28G
FM28V020-T28G

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 140ns
  • 접근 시간: 140ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I
재고 있음22,548
FM28V020-T28GTR
FM28V020-T28GTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 140ns
  • 접근 시간: 140ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I
재고 있음7,236
FM28V020-TG
FM28V020-TG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 140ns
  • 접근 시간: 140ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음1,614
FM28V020-TGTR
FM28V020-TGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 140ns
  • 접근 시간: 140ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음4,914
FM28V100-TG
FM28V100-TG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음54,168
FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음2,969
FM28V102A-TG
FM28V102A-TG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,622
FM28V102A-TGTR
FM28V102A-TGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,516
FM28V202A-TG
FM28V202A-TG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,498
FM28V202A-TGTR
FM28V202A-TGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: F-RAM™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FRAM
  • 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음4,140
FM93C06EN
FM93C06EN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 256 SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256b (16 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음2,196
FM93C06M8
FM93C06M8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 256 SPI 1MHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256b (16 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음8,244
FM93C06N
FM93C06N

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 256 SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256b (16 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음3,942
FM93C46ALM8
FM93C46ALM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 250KHZ 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 250kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,528
FM93C46EM8
FM93C46EM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음3,834
FM93C46EN
FM93C46EN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음4,068
FM93C46LM8
FM93C46LM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 250KHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 250kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음3,078
FM93C46LN
FM93C46LN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 250KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 250kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음8,622
FM93C46M8
FM93C46M8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음8,046
FM93C46N
FM93C46N

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 1Kb (64 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음4,590
FM93C56M8
FM93C56M8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음2,322
FM93C56N
FM93C56N

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음2,088
FM93C66EN
FM93C66EN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 4K SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음3,454