메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
F640BFHEPTTLHFA Sharp Microelectronics	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Sharp Microelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음7,218
F640SPHT-PTLZ8 Sharp Microelectronics	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Sharp Microelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,742
F800BJHEPBTLT9 Sharp Microelectronics	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Sharp Microelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음3,870
F800BJHEPTTL90 Sharp Microelectronics	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Sharp Microelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음6,138
F800BJHEPTTLT6 Sharp Microelectronics	기억 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Sharp Microelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음3,852
FM1608B-SG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음3,348
FM1608B-SGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음8,550
FM16W08-PG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 64K PARALLEL 28DIP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음7,650
FM16W08-SG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음19,100
FM16W08-SGT Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 16K I2C 1MHZ 8SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음4,824
FM16W08-SGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음22,953
FM16W08-SGTRT Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4K SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음3,762
FM1808B-PG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 256K PARALLEL 28DIP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-DIP	재고 있음6,516
FM1808B-SG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음10,752
FM1808B-SGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음6,984
FM18W08-SG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음24,237
FM18W08-SGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음21,943
FM21L16-60-TG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음641
FM21L16-60-TGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음4,176
FM21LD16-60-BG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음3,186
FM21LD16-60-BGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음6,480
FM22L16-55-TG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음65,186
FM22L16-55-TGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음12,144
FM22LD16-55-BG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음7,264
FM22LD16-55-BGTR Ramtron	기억 IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Ramtron 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음2,826
FM22LD16-55-BGTR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음6,804
FM23MLD16-60-BG Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns 접근 시간: 115ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음8,424
FM24C04B-G Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: F-RAM™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Kb (512 x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 550ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,675
FM24C04B-G2 Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,150
FM24C04B-G2TR Cypress Semiconductor	기억 IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,006

F640BFHEPTTLHFA

Sharp Microelectronics

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Sharp Microelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음7,218

F640SPHT-PTLZ8

Sharp Microelectronics

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Sharp Microelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,742

F800BJHEPBTLT9

Sharp Microelectronics

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Sharp Microelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음3,870

F800BJHEPTTL90

Sharp Microelectronics

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Sharp Microelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음6,138

F800BJHEPTTLT6

Sharp Microelectronics

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Sharp Microelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음3,852

FM1608B-SG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음3,348

FM1608B-SGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음8,550

FM16W08-PG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PDIP

재고 있음7,650

FM16W08-SG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음19,100

FM16W08-SGT

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 16K I2C 1MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음4,824

FM16W08-SGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 64K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음22,953

FM16W08-SGTRT

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4K SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음3,762

FM1808B-PG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28DIP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-DIP

재고 있음6,516

FM1808B-SG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음10,752

FM1808B-SGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음6,984

FM18W08-SG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음24,237

FM18W08-SGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 130ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 28-SOIC

재고 있음21,943

FM21L16-60-TG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음641

FM21L16-60-TGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음4,176

FM21LD16-60-BG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음3,186

FM21LD16-60-BGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 2M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음6,480

FM22L16-55-TG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음65,186

FM22L16-55-TGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음12,144

FM22LD16-55-BG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음7,264

FM22LD16-55-BGTR

Ramtron

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Ramtron
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음2,826

FM22LD16-55-BGTR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음6,804

FM23MLD16-60-BG

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns
접근 시간: 115ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음8,424

FM24C04B-G

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: F-RAM™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 550ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,675

FM24C04B-G2

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,150

FM24C04B-G2TR

Cypress Semiconductor

기억

IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,006

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