메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
EDFP164A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음3,024
EDFP164A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음5,940
EDFP164A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음6,916
EDFP164A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음8,244
EDFP164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,830
EDFP164A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,364
EDFP164A3PD-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,182
EDFP164A3PD-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,508
EDFP164A3PD-MD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,118
EDFP164A3PD-MD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,724
EDFP264A2PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,230
EDFP264A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,418
EDS6432AFTA-75TI-E-D Micron Technology Inc.	기억 SDRAM 2MX32 PLASTIC TSOP 3.3V EX 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,552
EDW2032BBBG-50-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음2,430
EDW2032BBBG-50-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음3,348
EDW2032BBBG-60-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음5,742
EDW2032BBBG-6A-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음3,798
EDW2032BBBG-6A-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음3,006
EDW2032BBBG-7A-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.75GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음7,254
EDW2032BBBG-7A-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.75GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음4,662
EDW4032BABG-50-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음3,636
EDW4032BABG-60-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음8,298
EDW4032BABG-60-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음7,938
EDW4032BABG-70-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.75GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음6,174
EDW4032BABG-70-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.75GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음2,754
EDW4032BABG-80-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.65V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 170-TFBGA 공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)	재고 있음2,016
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
EDW4032CABG-50-N-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,816
EDY4016AABG-DR-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음4,050
EDY4016AABG-DR-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음6,858

EDFP164A3PB-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음3,024

EDFP164A3PB-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음5,940

EDFP164A3PB-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음6,916

EDFP164A3PB-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음8,244

EDFP164A3PD-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,830

EDFP164A3PD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,364

EDFP164A3PD-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,182

EDFP164A3PD-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,508

EDFP164A3PD-MD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,118

EDFP164A3PD-MD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,724

EDFP264A2PB-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,230

EDFP264A2PB-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,418

EDS6432AFTA-75TI-E-D

Micron Technology Inc.

기억

SDRAM 2MX32 PLASTIC TSOP 3.3V EX

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,552

EDW2032BBBG-50-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음2,430

EDW2032BBBG-50-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음3,348

EDW2032BBBG-60-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음5,742

EDW2032BBBG-6A-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음3,798

EDW2032BBBG-6A-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음3,006

EDW2032BBBG-7A-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음7,254

EDW2032BBBG-7A-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음4,662

EDW4032BABG-50-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음3,636

EDW4032BABG-60-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음8,298

EDW4032BABG-60-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음7,938

EDW4032BABG-70-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음6,174

EDW4032BABG-70-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음2,754

EDW4032BABG-80-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.65V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 170-TFBGA
공급자 장치 패키지: 170-FBGA (12x14)

재고 있음2,016

EDW4032CABG-50-N-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

EDW4032CABG-50-N-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,816

EDY4016AABG-DR-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음4,050

EDY4016AABG-DR-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음6,858

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