메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
EDF8132A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-WFBGA (12x12)	재고 있음3,690
EDF8132A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-WFBGA (12x12)	재고 있음3,960
EDF8132A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음8,838
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음2,610
EDF8132A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,462
EDF8132A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,266
EDF8132A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,110
EDF8132A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,194
EDF8132A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,592
EDF8132A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,760
EDF8164A3MA-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)	재고 있음6,858
EDF8164A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)	재고 있음7,074
EDF8164A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)	재고 있음5,184
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)	재고 있음5,202
EDF8164A3MC-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,826
EDF8164A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,102
EDF8164A3MC-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,130
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,182
EDF8164A3MD-GD-F-R Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,436
EDF8164A3MD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,480
EDF8164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,304
EDF8164A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,914
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,932
EDF8164A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,978
EDF8164A3PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,740
EDF8164A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음2,592
EDF8164A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음3,798
EDF8164A3PK-JD-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음5,580
EDF8164A3PK-JD-F-R Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음5,436
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (128M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음3,598

EDF8132A3PB-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-WFBGA (12x12)

재고 있음3,690

EDF8132A3PB-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-WFBGA (12x12)

재고 있음3,960

EDF8132A3PB-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음8,838

EDF8132A3PB-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음2,610

EDF8132A3PD-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,462

EDF8132A3PD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,266

EDF8132A3PF-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,110

EDF8132A3PF-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,194

EDF8132A3PK-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,592

EDF8132A3PK-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,760

EDF8164A3MA-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)

재고 있음6,858

EDF8164A3MA-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)

재고 있음7,074

EDF8164A3MA-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)

재고 있음5,184

EDF8164A3MA-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 253-FBGA (11x11)

재고 있음5,202

EDF8164A3MC-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,826

EDF8164A3MC-GD-F-R

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,102

EDF8164A3MC-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,130

EDF8164A3MD-GD-F-D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,182

EDF8164A3MD-GD-F-R

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,436

EDF8164A3MD-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,480

EDF8164A3PD-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,304

EDF8164A3PF-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,914

EDF8164A3PF-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,932

EDF8164A3PF-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,978

EDF8164A3PF-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,740

EDF8164A3PK-GD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음2,592

EDF8164A3PK-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음3,798

EDF8164A3PK-JD-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음5,580

EDF8164A3PK-JD-F-R

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음5,436

EDF8164A3PK-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (128M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음3,598

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message