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메모리 IC

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부품 번호
설명
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AS4C1M16S-6TCNTR
AS4C1M16S-6TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II
재고 있음7,956
AS4C1M16S-6TIN
AS4C1M16S-6TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II
재고 있음7,596
AS4C1M16S-6TINTR
AS4C1M16S-6TINTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II
재고 있음8,244
AS4C1M16S-7TCN
AS4C1M16S-7TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II
재고 있음12,918
AS4C1M16S-7TCNTR
AS4C1M16S-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II
재고 있음7,776
AS4C256M16D3-12BAN
AS4C256M16D3-12BAN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음4,878
AS4C256M16D3-12BANTR
AS4C256M16D3-12BANTR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음2,808
AS4C256M16D3-12BCN
AS4C256M16D3-12BCN

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음7,686
AS4C256M16D3-12BCNTR
AS4C256M16D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음3,978
AS4C256M16D3-12BIN
AS4C256M16D3-12BIN

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음7,848
AS4C256M16D3-12BINTR
AS4C256M16D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음5,166
AS4C256M16D3A-12BAN
AS4C256M16D3A-12BAN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음7,722
AS4C256M16D3A-12BANTR
AS4C256M16D3A-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음4,158
AS4C256M16D3A-12BCN
AS4C256M16D3A-12BCN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음3,060
AS4C256M16D3A-12BCNTR
AS4C256M16D3A-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음4,050
AS4C256M16D3A-12BIN
AS4C256M16D3A-12BIN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음2,862
AS4C256M16D3A-12BINTR
AS4C256M16D3A-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음5,382
AS4C256M16D3B-12BAN
AS4C256M16D3B-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음6,312
AS4C256M16D3B-12BANTR
AS4C256M16D3B-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음7,614
AS4C256M16D3B-12BCN
AS4C256M16D3B-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음26,034
AS4C256M16D3B-12BCNTR
AS4C256M16D3B-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음7,704
AS4C256M16D3B-12BIN
AS4C256M16D3B-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음17,004
AS4C256M16D3B-12BINTR
AS4C256M16D3B-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13.5x9)
재고 있음5,814
AS4C256M16D3L-12BAN
AS4C256M16D3L-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음3,544
AS4C256M16D3L-12BANTR
AS4C256M16D3L-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음6,012
AS4C256M16D3L-12BCN
AS4C256M16D3L-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음7,254
AS4C256M16D3L-12BCNTR
AS4C256M16D3L-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음5,688
AS4C256M16D3L-12BIN
AS4C256M16D3L-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음5,292
AS4C256M16D3L-12BINTR
AS4C256M16D3L-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음4,644
AS4C256M16D3LA-12BAN
AS4C256M16D3LA-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음3,114