메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
NMC87C257V200 ON Semiconductor	기억 IC EPROM 256M PARALLEL 32PLCC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EPROM 기술: EPROM - OTP 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)	재고 있음4,968
NMC87C257VE150 ON Semiconductor	기억 IC EPROM 256M PARALLEL 32PLCC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EPROM 기술: EPROM - OTP 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)	재고 있음6,822
NMC87C257VE200 ON Semiconductor	기억 IC EPROM 256M PARALLEL 32PLCC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EPROM 기술: EPROM - OTP 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)	재고 있음4,554
NP5Q032AE3ESFC0E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 32M SPI 16SO W 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 66MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 280µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO W	재고 있음2,844
NP5Q064AE3ESFC0E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 64M SPI 16SO W 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 66MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 280µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO W	재고 있음2,034
NP5Q128A13ESFC0E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 66MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 350µs 접근 시간: 360µs 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO W	재고 있음8,298
NP5Q128AE3ESFC0E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M SPI 33MHZ 16SO W 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 33MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 350µs 접근 시간: 360µs 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SO W	재고 있음3,472
NP8P128A13B1760E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns 접근 시간: 115ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음8,766
NP8P128A13BSM60E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns 접근 시간: 115ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,640
NP8P128A13T1760E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns 접근 시간: 115ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음3,598
NP8P128A13TSM60E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns 접근 시간: 115ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,204
NP8P128AE3B1760E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns 접근 시간: 135ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음8,424
NP8P128AE3BSM60E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns 접근 시간: 135ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP (18.4x14)	재고 있음3,490
NP8P128AE3T1760E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns 접근 시간: 135ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-TBGA 공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)	재고 있음5,904
NP8P128AE3TSM60E Micron Technology Inc.	기억 IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Omneo™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: PCM (PRAM) 기술: PCM (PRAM) 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns 접근 시간: 135ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP (18.4x14)	재고 있음4,302
NSEC00K004-IT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 4GB 100BALL IT 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 32Gb (4G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)	재고 있음6,816
NSEC00K008-AT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 100B AUTO PH, 15NM MLC 8GB 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 64Gb (8G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)	재고 있음7,128
NSEC00K008-IT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 8GB 100BALL IT 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 64Gb (8G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)	재고 있음6,192
NSEC00K016-IT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 16GB 100BALL IT 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)	재고 있음6,444
NSEC53K004-IT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 4GBIT BGA IT 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)	재고 있음8,244
NSEC53K008-IT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 153BALL IT PH, 15NM MLC 8GB 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)	재고 있음6,636
NSEC53K016-IT Insignis Technology Corporation	기억 EMMC 153BALL IT PH, 15NM MLC 16G 제조업체: Insignis Technology Corporation 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (MLC) 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: eMMC 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)	재고 있음6,516
NV25010DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 1KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,788
NV25010DWHFT3G ON Semiconductor	기억 1KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,968
NV25020DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 2KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,290
NV25020DWHFT3G ON Semiconductor	기억 2KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,012
NV25040DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 4KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,762
NV25040DWHFT3G ON Semiconductor	기억 4KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 4Kb (512 x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음27,576
NV25080DTHFT3G ON Semiconductor	기억 IC EEPROM SPI SER 8KB 8TSSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,550
NV25080DWHFT3G ON Semiconductor	기억 8KB SPI SER CMOS EEPROM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: - 메모리 크기: 8Kb (1K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms 접근 시간: 40ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,418

NMC87C257V200

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 256M PARALLEL 32PLCC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EPROM
기술: EPROM - OTP
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)

재고 있음4,968

NMC87C257VE150

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 256M PARALLEL 32PLCC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EPROM
기술: EPROM - OTP
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)

재고 있음6,822

NMC87C257VE200

ON Semiconductor

기억

IC EPROM 256M PARALLEL 32PLCC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EPROM
기술: EPROM - OTP
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 32-PLCC (14x11.46)

재고 있음4,554

NP5Q032AE3ESFC0E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 32M SPI 16SO W

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 280µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO W

재고 있음2,844

NP5Q064AE3ESFC0E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 64M SPI 16SO W

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 280µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO W

재고 있음2,034

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 350µs
접근 시간: 360µs
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO W

재고 있음8,298

NP5Q128AE3ESFC0E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M SPI 33MHZ 16SO W

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 33MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 350µs
접근 시간: 360µs
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SO W

재고 있음3,472

NP8P128A13B1760E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns
접근 시간: 115ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음8,766

NP8P128A13BSM60E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns
접근 시간: 115ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,640

NP8P128A13T1760E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns
접근 시간: 115ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음3,598

NP8P128A13TSM60E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 115ns
접근 시간: 115ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,204

NP8P128AE3B1760E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns
접근 시간: 135ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음8,424

NP8P128AE3BSM60E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns
접근 시간: 135ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP (18.4x14)

재고 있음3,490

NP8P128AE3T1760E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns
접근 시간: 135ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-TBGA
공급자 장치 패키지: 64-EasyBGA (8x10)

재고 있음5,904

NP8P128AE3TSM60E

Micron Technology Inc.

기억

IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Omneo™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: PCM (PRAM)
기술: PCM (PRAM)
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 135ns
접근 시간: 135ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP (18.4x14)

재고 있음4,302

NSEC00K004-IT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 4GB 100BALL IT

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)

재고 있음6,816

NSEC00K008-AT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 100B AUTO PH, 15NM MLC 8GB

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 64Gb (8G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)

재고 있음7,128

NSEC00K008-IT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 8GB 100BALL IT

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 64Gb (8G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)

재고 있음6,192

NSEC00K016-IT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 16GB 100BALL IT

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-BGA (14x18)

재고 있음6,444

NSEC53K004-IT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 4GBIT BGA IT

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)

재고 있음8,244

NSEC53K008-IT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 153BALL IT PH, 15NM MLC 8GB

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)

재고 있음6,636

NSEC53K016-IT

Insignis Technology Corporation

기억

EMMC 153BALL IT PH, 15NM MLC 16G

제조업체: Insignis Technology Corporation
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: eMMC
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)

재고 있음6,516

NV25010DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 1KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,788

NV25010DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

1KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,968

NV25020DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 2KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,290

NV25020DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

2KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,012

NV25040DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 4KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,762

NV25040DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

4KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음27,576

NV25080DTHFT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM SPI SER 8KB 8TSSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,550

NV25080DWHFT3G

ON Semiconductor

기억

8KB SPI SER CMOS EEPROM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: -
메모리 크기: 8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
접근 시간: 40ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,418

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