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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
NDL46PFP-9MIT
NDL46PFP-9MIT

Insignis Technology Corporation

기억

DDR3L 4GB X16 FBGA 7.5X13.5(X1.2

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)
재고 있음6,420
NDS36PT5-16ET
NDS36PT5-16ET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음14,238
NDS36PT5-16IT
NDS36PT5-16IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,930
NDS36PT5-20ET
NDS36PT5-20ET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 4.5ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음14,022
NDS63PT9-16IT
NDS63PT9-16IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (2M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음2,484
NDS66PT5-16ET
NDS66PT5-16ET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,520
NDS66PT5-16IT
NDS66PT5-16IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음12,960
NDS73PT9-16ET
NDS73PT9-16ET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음17,880
NDS73PT9-16IT
NDS73PT9-16IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음6,300
NDS76PT5-16IT
NDS76PT5-16IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음22,080
NDS76PT5-20IT
NDS76PT5-20IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 4.5ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음13,050
NDS96PT4-16IT
NDS96PT4-16IT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 50-TSOP II
재고 있음3,546
NDT16PFJ-8KIT
NDT16PFJ-8KIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음5,418
NDT16PFJ-9MET
NDT16PFJ-9MET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음4,842
NDT18PFH-8KIT
NDT18PFH-8KIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음26,160
NDT18PFH-9MET
NDT18PFH-9MET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

  • 제조업체: Insignis Technology Corporation
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)
재고 있음23,040
NM24C02EM8
NM24C02EM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,960
NM24C02EN
NM24C02EN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음6,390
NM24C02LEM8
NM24C02LEM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,776
NM24C02LEN
NM24C02LEN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음2,142
NM24C02LM8
NM24C02LM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,148
NM24C02LN
NM24C02LN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음3,330
NM24C02M8
NM24C02M8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SOIC

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,230
NM24C02N
NM24C02N

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음6,354
NM24C03EM8
NM24C03EM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음4,842
NM24C03EN
NM24C03EN

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음7,740
NM24C03LM8
NM24C03LM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음2,682
NM24C03M8
NM24C03M8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음4,878
NM24C03N
NM24C03N

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음7,686
NM24C04EM8
NM24C04EM8

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 4K I2C 100KHZ 8SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 100kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 3.5µs
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음8,190