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메모리 IC

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IC FLASH 64M SPI 108MHZ VDFPN

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFN (6x5)
재고 있음6,318
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
재고 있음2,700
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
재고 있음7,506
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
재고 있음3,762
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  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
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  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
재고 있음4,806
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN

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  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
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  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

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  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음3,798
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음47,277
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ SOIC

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP2
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ SOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP2
재고 있음5,418
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음2,592
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음4,860
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
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  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음6,282
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  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음3,708
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음6,660
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP2
재고 있음3,564
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음8,640
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음6,948
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음8,334
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO W
재고 있음4,680
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO W
재고 있음2,412
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO W
재고 있음2,412
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IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO W
재고 있음7,038
N25Q064A13ESF41F TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO W
재고 있음6,642
N25Q064A13ESF41G
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO W
재고 있음3,456
N25Q064A13ESF42EE01
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOP2
재고 있음8,208
N25Q064A13ESF42F TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (16M x 4)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SO W
재고 있음8,028