메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT61M256M32JE-12 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음4,356
MT61M256M32JE-12 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음2,232
MT61M256M32JE-12 N:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음6,084
MT61M256M32JE-12 N:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음8,100
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (11x10)	재고 있음3,562
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (11x10)	재고 있음3,474
MT66R7072A10ACUXZW.ZCA Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x8)	재고 있음5,274
MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x8)	재고 있음4,266
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 288Gb (4G x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1467MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,260
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,376
MTA4ATF25664HZ-2G6B1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,812
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,671
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,294
MTA8ATF1G64AZ-2G3A1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,418
MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G PARALLEL 1200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,906
MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,624
MTA8ATF51264AZ-2G1B1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,190
MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,124
MTA8ATF51264HZ-2G1B1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,148
MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,966
MTA9ASF1G72HZ-2G6E1 Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 8GB SODIMM 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,636
MTA9ASF1G72PZ-2G9E1 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 72G PARALLEL 1467MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 72Gb (1G x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1467MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음39
MTFC128GAJAECE-5M AIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음7,200
MTFC128GAJAECE-5M AIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음6,264
MTFC128GAJAECE-AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음7,470
MTFC128GAJAECE-AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음2,700
MTFC128GAJAECE-AIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음1,123
MTFC128GAJAECE-AIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음5,076
MTFC128GAJAECE-IT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음7,290
MTFC128GAJAECE-IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1T MMC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: e•MMC™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Tb (128G x 8) 메모리 인터페이스: MMC 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 169-LFBGA 공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)	재고 있음3,834

MT61M256M32JE-12 AAT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음4,356

MT61M256M32JE-12 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음2,232

MT61M256M32JE-12 N:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음6,084

MT61M256M32JE-12 N:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음8,100

MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (11x10)

재고 있음3,562

MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (11x10)

재고 있음3,474

MT66R7072A10ACUXZW.ZCA

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x8)

재고 있음5,274

MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 1G PARALLEL 121VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x8)

재고 있음4,266

MTA36ASF4G72PZ-2G9E2

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 288Gb (4G x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1467MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,260

MTA4ATF25664AZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,376

MTA4ATF25664HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,812

MTA4ATF51264AZ-2G6E1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,671

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,294

MTA8ATF1G64AZ-2G3A1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,418

MTA8ATF1G64HZ-2G3A1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G PARALLEL 1200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,906

MTA8ATF1G64HZ-2G6E1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,624

MTA8ATF51264AZ-2G1B1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,190

MTA8ATF51264AZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,124

MTA8ATF51264HZ-2G1B1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,148

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,966

MTA9ASF1G72HZ-2G6E1

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 8GB SODIMM

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,636

MTA9ASF1G72PZ-2G9E1

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 72G PARALLEL 1467MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 72Gb (1G x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1467MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음39

MTFC128GAJAECE-5M AIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음7,200

MTFC128GAJAECE-5M AIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음6,264

MTFC128GAJAECE-AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음7,470

MTFC128GAJAECE-AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음2,700

MTFC128GAJAECE-AIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음1,123

MTFC128GAJAECE-AIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음5,076

MTFC128GAJAECE-IT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음7,290

MTFC128GAJAECE-IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1T MMC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: e•MMC™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스: MMC
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 169-LFBGA
공급자 장치 패키지: 169-LFBGA (14x18)

재고 있음3,834

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