메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53D4DGSB-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,412
MT53D4DHSB-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,160
MT53D4DHSB-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
MT53D4G16D8AL-062 WT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 SMD 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,114
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 SMD 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,122
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,328
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,910
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,748
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,142
MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,616
MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,582
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 8G DIE 512MX16 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,484
MT53D512M16D1Z11MWC2 ES Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 8G DIE 512MX16 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,768
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음426
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,076
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음4,641
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,030
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,543
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,310
MT53D512M32D2DS-046 IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,721
MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
MT53D512M32D2DS-046 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,796
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,362
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음396
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,538
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,147
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,384
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음143
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,658

MT53D4DGSB-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,412

MT53D4DHSB-DC

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,160

MT53D4DHSB-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,948

MT53D4G16D8AL-062 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 SMD

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,114

MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 SMD

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,122

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,328

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,910

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,748

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,142

MT53D512M16D1DS-046 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,616

MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,582

MT53D512M16D1Z11MWC2

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 8G DIE 512MX16

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,484

MT53D512M16D1Z11MWC2 ES

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 8G DIE 512MX16

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,768

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음426

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,076

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음4,641

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,030

MT53D512M32D2DS-046 AUT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,543

MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,310

MT53D512M32D2DS-046 IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,721

MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

MT53D512M32D2DS-046 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,896

MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,796

MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,362

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음396

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,538

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,147

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,384

MT53D512M32D2DS-053 AUT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음143

MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,658

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