메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음3,384
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음6,678
MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음2,592
MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음3,436
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음6,822
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음8,640
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음6,210
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음4,392
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음6,642
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음7,416
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음6,444
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 2133MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음3,618
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음7,776
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음5,706
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음5,706
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음3,472
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음8,208
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음8,748
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음3,078
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음5,058
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 432-VFBGA 공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)	재고 있음5,292
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,298
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,444
MT53D1024M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,940
MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,544
MT53D1536M32D6BE-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (1.5G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,086
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 48Gb (1.5G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,346
MT53D1G32D4BD-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,096
MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,160
MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,326

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음3,384

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음6,678

MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음2,592

MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음3,436

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음6,822

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음8,640

MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음6,210

MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음4,392

MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음6,642

MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음7,416

MT53D1024M64D8NW-046 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음6,444

MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음3,618

MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음7,776

MT53D1024M64D8NW-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음5,706

MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음5,706

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음3,472

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR

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IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음8,208

MT53D1024M64D8NW-062 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음8,748

MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR

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IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음3,078

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D

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기억

IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음5,058

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 432-VFBGA
공급자 장치 패키지: 432-VFBGA (15x15)

재고 있음5,292

MT53D1024M64D8PM-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,298

MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,444

MT53D1024M64D8WF-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,940

MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,544

MT53D1536M32D6BE-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (1.5G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,086

MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 48Gb (1.5G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,346

MT53D1G32D4BD-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,096

MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,160

MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,326

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