메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (12x12)	재고 있음7,236
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,634
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,870
MT52L256M32D1PF-093 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음5,904
MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음2,592
MT52L256M32D1PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음3,078
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음6,865
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음12,540
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음3,816
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,966
MT52L256M32D1PU-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,852
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,934
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,784
MT52L256M32D1V01MWC2 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 8G DIE 256MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,758
MT52L256M32D1V01MWC2 MS Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 8G DIE 256MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,424
MT52L256M64D2FT-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 16G 256MX64 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,414
MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 16G 256MX64 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,538
MT52L256M64D2GN-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-WFBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)	재고 있음3,150
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-WFBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)	재고 있음8,370
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-WFBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)	재고 있음3,618
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음1,096
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음6,552
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음8,496
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)	재고 있음7,470
MT52L256M64D2PD-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음7,272
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음6,894
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음8,190
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음3,762
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 216-WFBGA 공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)	재고 있음4,590

MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (12x12)

재고 있음7,236

MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,634

MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,870

MT52L256M32D1PF-093 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음5,904

MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음2,592

MT52L256M32D1PF-093 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음3,078

MT52L256M32D1PF-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음6,865

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음12,540

MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음3,816

MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
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재고 있음6,966

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
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MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
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재고 있음3,852

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
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재고 있음2,934

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 8G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
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재고 있음8,784

MT52L256M32D1V01MWC2

Micron Technology Inc.

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LPDDR3 8G DIE 256MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
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기술: -
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재고 있음7,758

MT52L256M32D1V01MWC2 MS

Micron Technology Inc.

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LPDDR3 8G DIE 256MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음8,424

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

Micron Technology Inc.

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LPDDR3 16G 256MX64 WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
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기술: -
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재고 있음5,414

MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

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LPDDR3 16G 256MX64 WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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재고 있음2,538

MT52L256M64D2GN-107 WT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)

재고 있음3,150

MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

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IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-WFBGA
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재고 있음8,370

MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-WFBGA
공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)

재고 있음3,618

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음1,096

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
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재고 있음6,552

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 16G 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음8,496

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 216-FBGA (12x12)

재고 있음7,470

MT52L256M64D2PD-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음7,272

MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음6,894

MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음8,190

MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

재고 있음3,762

MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 216-WFBGA
공급자 장치 패키지: 216-FBGA (15x15)

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