메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,076
MT29F1G08ABADAWP-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,021
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,130
MT29F1G08ABADAWP-ITE:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,222
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,212
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음14,952
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음7,110
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음23,484
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,618
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음19,608
MT29F1G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음89,262
MT29F1G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음14,442
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음163,044
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음6,732
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음14,906
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음5,634
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL WAFER 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,302
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,104
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음12,936
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,006
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음12,456
MT29F1G08ABAEAWP:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,588
MT29F1G08ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,600
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음7,697
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음27,276
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음7,398
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음14,514
MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,762
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음4,475
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음12,360

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,076

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,021

MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,130

MT29F1G08ABADAWP-ITE:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,222

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,212

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음14,952

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음7,110

MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음23,484

MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,618

MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음19,608

MT29F1G08ABAEAH4:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음89,262

MT29F1G08ABAEAH4:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음14,442

MT29F1G08ABAEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음163,044

MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음6,732

MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음14,906

MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음5,634

MT29F1G08ABAEAM68M3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,302

MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,104

MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음12,936

MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,006

MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음12,456

MT29F1G08ABAEAWP:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,588

MT29F1G08ABAEAWP:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,600

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음7,697

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음27,276

MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음7,398

MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음14,514

MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,762

MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음4,475

MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음12,360

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