절연체

부품 번호	설명	재고 있음
TPC817S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음72,330
TPC817S1B RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음85,290
TPC817S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음34,638
TPC817S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5KV TRANS 4SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: TPC817 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): - 상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 80V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): 200mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: 4-SOP	재고 있음7,956
VO1263AAC Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 2CH PHVOLT 8SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 16µs, 472µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 16.5V 전류-출력 / 채널: 3µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음57,618
VO1263AACTR Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 2CH PHVOLT 8SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 16µs, 472µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 16.5V 전류-출력 / 채널: 3µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 8-SMD	재고 있음158,400
VO1263AB Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV 2CH PHVOLT 8DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 2 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 16µs, 472µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Photovoltaic 전압-출력 (최대): 16.5V 전류-출력 / 채널: 3µA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음26,634
VO205AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,286
VO206AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,168
VO207AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음28,812
VO208AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,992
VO211AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,842
VO212AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,032
VO213AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,446
VO215AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 50% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,474
VO216AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,372
VO217AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): 130% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,364
VO221AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,184
VO222AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,680
VO223AT Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Darlington with Base 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 1V 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,380
VO610A-1 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음3,168
VO610A-1X019T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음3,636
VO610A-2 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음12,300
VO610A-3 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음33,252
VO610A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음2,970
VO610A-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음5,598
VO610A-3X008T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음7,110
VO610A-3X009T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음12,870
VO610A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 4-DIP	재고 있음27,714
VO610A-3X018T Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA 켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor 전압-출력 (최대): 70V 전류-출력 / 채널: 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 300mV 작동 온도: -55°C ~ 110°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,874

TPC817S1A RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 80% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 160% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음72,330

TPC817S1B RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 130% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 260% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음85,290

TPC817S1C RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음34,638

TPC817S1D RAG

Taiwan Semiconductor Corporation

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: TPC817
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 300% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대): 600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): -
상승 / 하강 시간 (일반): 4µs, 3µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 80V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): 200mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD
공급자 장치 패키지: 4-SOP

재고 있음7,956

VO1263AAC

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH PHVOLT 8SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 16µs, 472µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 16.5V
전류-출력 / 채널: 3µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음57,618

VO1263AACTR

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH PHVOLT 8SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 16µs, 472µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 16.5V
전류-출력 / 채널: 3µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 8-SMD

재고 있음158,400

VO1263AB

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV 2CH PHVOLT 8DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 2
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 16µs, 472µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Photovoltaic
전압-출력 (최대): 16.5V
전류-출력 / 채널: 3µA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음26,634

VO205AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,286

VO206AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,168

VO207AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음28,812

VO208AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 160% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 320% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,992

VO211AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,842

VO212AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,032

VO213AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,446

VO215AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 50% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,474

VO216AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 50% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,372

VO217AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): 130% @ 1mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 2µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,364

VO221AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,184

VO222AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 200% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,680

VO223AT

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4KV DARL W/BASE 8SOIC

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 500% @ 1mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Darlington with Base
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 1V
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,380

VO610A-1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음3,168

VO610A-1X019T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음3,636

VO610A-2

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 63% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 125% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음12,300

VO610A-3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음33,252

VO610A-3X001

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음2,970

VO610A-3X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음5,598

VO610A-3X008T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음7,110

VO610A-3X009T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음12,870

VO610A-3X016

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 4-DIP

재고 있음27,714

VO610A-3X018T

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5000Vrms
전류 전송 비율 (최소): 100% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): 200% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반): 6µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 3µs, 4.7µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor
전압-출력 (최대): 70V
전류-출력 / 채널: 50mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 300mV
작동 온도: -55°C ~ 110°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,874

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