다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
1SS413CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V 전류-평균 정류 (Io): 50mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 50mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-882 공급자 장치 패키지: SOD-882 작동 온도-접합: -55°C ~ 125°C	재고 있음74,238
1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V 전류-평균 정류 (Io): 50mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 50mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC 작동 온도-접합: 125°C (Max)	재고 있음6,660
1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V 전류-평균 정류 (Io): 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 100mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC 작동 온도-접합: 125°C (Max)	재고 있음8,280
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V 전류-평균 정류 (Io): 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 100mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC 작동 온도-접합: 125°C (Max)	재고 있음86,100
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V 전류-평균 정류 (Io): 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 620mV @ 100mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC 작동 온도-접합: 125°C (Max)	재고 있음5,832
1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V 전류-평균 정류 (Io): 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 620mV @ 50mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: fSC 작동 온도-접합: 125°C (Max)	재고 있음93,246
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음4,734
1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V 전류-평균 정류 (Io): 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 200mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지: ESC 작동 온도-접합: 125°C (Max)	재고 있음7,866
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V 전류-평균 정류 (Io): 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 100mA 속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr): 1.6ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-923 공급자 장치 패키지: SOD-923 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음270,894
1T1G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음8,280
1T1G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,428
1T1G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음3,366
1T2G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음6,390
1T2G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음2,322
1T2G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,562
1T3G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음8,604
1T3G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음6,984
1T3G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음8,820
1T4G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,310
1T4G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음2,430
1T4G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음2,574
1T5G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,488
1T5G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,128
1T5G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,200
1T6G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,398
1T6G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,778
1T6G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,022
1T7G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,904
1T7G A1G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,542
1T7G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1A TS-1 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: T-18, Axial 공급자 장치 패키지: TS-1 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,454

1SS413CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
전류-평균 정류 (Io): 50mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 50mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-882
공급자 장치 패키지: SOD-882
작동 온도-접합: -55°C ~ 125°C

재고 있음74,238

1SS413,L3M

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
전류-평균 정류 (Io): 50mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 550mV @ 50mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC
작동 온도-접합: 125°C (Max)

재고 있음6,660

1SS416CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
전류-평균 정류 (Io): 100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 100mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC
작동 온도-접합: 125°C (Max)

재고 있음8,280

1SS416,L3M

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
전류-평균 정류 (Io): 100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 100mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC
작동 온도-접합: 125°C (Max)

재고 있음86,100

1SS417CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V
전류-평균 정류 (Io): 100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 620mV @ 100mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC
작동 온도-접합: 125°C (Max)

재고 있음5,832

1SS417,L3M

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 40V
전류-평균 정류 (Io): 100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 620mV @ 50mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: fSC
작동 온도-접합: 125°C (Max)

재고 있음93,246

1SS422(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음4,734

1SS424(TPL3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
전류-평균 정류 (Io): 200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 500mV @ 200mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지: ESC
작동 온도-접합: 125°C (Max)

재고 있음7,866

1SS427,L3M

Toshiba Semiconductor and Storage

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
전류-평균 정류 (Io): 100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 100mA
속도: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr): 1.6ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-923
공급자 장치 패키지: SOD-923
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음270,894

1T1G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음8,280

1T1G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,428

1T1G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음3,366

1T2G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음6,390

1T2G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음2,322

1T2G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,562

1T3G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음8,604

1T3G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음6,984

1T3G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음8,820

1T4G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,310

1T4G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음2,430

1T4G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음2,574

1T5G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,488

1T5G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,128

1T5G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,200

1T6G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,398

1T6G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,778

1T6G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,022

1T7G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,904

1T7G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,542

1T7G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1A TS-1

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: T-18, Axial
공급자 장치 패키지: TS-1
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,454

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