다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
1N5406GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,626
1N5406GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음3,564
1N5406GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음3,852
1N5406GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음6,318
1N5406GP-TP Micro Commercial Co	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,038
1N5406G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,266
1N5406G-T Diodes Incorporated	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음1,395
1N5406RL ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 170°C	재고 있음6,516
1N5406RLG ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음4,248
1N5406-T Diodes Incorporated	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음18,822
1N5406TA SMC Diode Solutions	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: SMC Diode Solutions 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 0V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,676
1N5406T-G Comchip Technology	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Comchip Technology 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-27 (DO-201AD) 작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C	재고 있음6,786
1N5406-TP Micro Commercial Co	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,806
1N5407 ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 170°C	재고 있음6,102
1N5407-AP Micro Commercial Co	정류기-싱글 DIODE GPP 3A DO-201AD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 40V 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음2,286
1N5407-B Diodes Incorporated	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음4,284
1N5407-E3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음3,400
1N5407-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음31,872
1N5407-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음88,446
1N5407-G Comchip Technology	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Comchip Technology 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-27 (DO-201AD) 작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C	재고 있음8,604
1N5407G ON Semiconductor	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C	재고 있음34,848
1N5407G A0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음2,160
1N5407G B0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음6,732
1N5407GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음5,580
1N5407GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음8,280
1N5407GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,320
1N5407GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음4,590
1N5407GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C	재고 있음4,500
1N5407GP-TP Micro Commercial Co	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음4,086
1N5407G R0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C	재고 있음7,506

1N5406GHA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,626

1N5406GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음3,564

1N5406GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음3,852

1N5406GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음6,318

1N5406GP-TP

Micro Commercial Co

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음7,038

1N5406G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,266

1N5406G-T

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음1,395

1N5406RL

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 170°C

재고 있음6,516

1N5406RLG

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음4,248

1N5406-T

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음18,822

1N5406TA

SMC Diode Solutions

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: SMC Diode Solutions
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 0V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,676

1N5406T-G

Comchip Technology

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Comchip Technology
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-27 (DO-201AD)
작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C

재고 있음6,786

1N5406-TP

Micro Commercial Co

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,806

1N5407

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 170°C

재고 있음6,102

1N5407-AP

Micro Commercial Co

정류기-싱글

DIODE GPP 3A DO-201AD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 40V
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음2,286

1N5407-B

Diodes Incorporated

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음4,284

1N5407-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음3,400

1N5407-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음31,872

1N5407-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음88,446

1N5407-G

Comchip Technology

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Comchip Technology
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-27 (DO-201AD)
작동 온도-접합: -65°C ~ 125°C

재고 있음8,604

1N5407G

ON Semiconductor

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AA, DO-27, Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

재고 있음34,848

1N5407G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음2,160

1N5407G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음6,732

1N5407GHA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음5,580

1N5407GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음8,280

1N5407GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,320

1N5407GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음4,590

1N5407GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -50°C ~ 150°C

재고 있음4,500

1N5407GP-TP

Micro Commercial Co

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

재고 있음4,086

1N5407G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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