다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
MURP20020CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 300V 100A POWERTAP2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 150µA @ 300V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Powertap II 공급자 장치 패키지: PowerTap II	재고 있음7,632
MURP20020CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 300V 100A POWERTAP2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 150µA @ 300V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Powertap II 공급자 장치 패키지: PowerTap II	재고 있음8,658
MURP20040CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 100A POWERTAP2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 400V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Powertap II 공급자 장치 패키지: PowerTap II	재고 있음8,352
MURP20040CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 100A POWERTAP2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 400V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Powertap II 공급자 장치 패키지: PowerTap II	재고 있음3,294
MURT10005 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,428
MURT10005R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,168
MURT10010 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,446
MURT10010R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,680
MURT10020 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음101
MURT10020R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,208
MURT10040 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,326
MURT10040R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,568
MURT10060 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,598
MURT10060R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,402
MURT20005 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음2,574
MURT20005R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,806
MURT20010 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음6,084
MURT20010R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,230
MURT20020 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음6,030
MURT20020R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음6,480
MURT20040 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,704
MURT20040R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,164
MURT20060 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 160ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,546
MURT20060R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 160ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,328
MURT30005 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,632
MURT30005R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,618
MURT30010 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,348
MURT30010R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음2,466
MURT30020 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,586
MURT30020R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,042

MURP20020CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 300V 100A POWERTAP2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 150µA @ 300V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Powertap II
공급자 장치 패키지: PowerTap II

재고 있음7,632

MURP20020CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 300V 100A POWERTAP2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 300V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 150µA @ 300V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Powertap II
공급자 장치 패키지: PowerTap II

재고 있음8,658

MURP20040CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 100A POWERTAP2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 400V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Powertap II
공급자 장치 패키지: PowerTap II

재고 있음8,352

MURP20040CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 100A POWERTAP2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 400V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Powertap II
공급자 장치 패키지: PowerTap II

재고 있음3,294

MURT10005

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,428

MURT10005R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,168

MURT10010

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,446

MURT10010R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,680

MURT10020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음101

MURT10020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,208

MURT10040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,326

MURT10040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,568

MURT10060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,598

MURT10060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,402

MURT20005

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음2,574

MURT20005R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,806

MURT20010

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음6,084

MURT20010R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,230

MURT20020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음6,030

MURT20020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음6,480

MURT20040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,704

MURT20040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,164

MURT20060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 160ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,546

MURT20060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 160ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,328

MURT30005

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 100ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,632

MURT30005R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 100ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,618

MURT30010

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 100ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,348

MURT30010R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 100ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음2,466

MURT30020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 100ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,586

MURT30020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 100ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

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