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ZXTP19020DGTA

ZXTP19020DGTA

참조 용

부품 번호 ZXTP19020DGTA
PNEDA 부품 번호 ZXTP19020DGTA
설명 TRANS PNP 20V 8A SOT223
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXTP19020DGTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXTP19020DGTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
ZXTP19020DGTA, ZXTP19020DGTA 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 839.7 KB)
PDFZXTP19020DGTA 데이터 시트 표지
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ZXTP19020DGTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic275mV @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 100mA, 2V
전력-최대3W
주파수-전환176MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

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Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-225AA

PMBTA06,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

TIP34C

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-218-3

공급자 장치 패키지

TO-218

2SAR513RTL

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

400MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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