ZXMHC10A07T8TA
참조 용
| 부품 번호 | ZXMHC10A07T8TA |
| PNEDA 부품 번호 | ZXMHC10A07T8TA |
| 설명 | MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 92,514 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZXMHC10A07T8TA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZXMHC10A07T8TA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ZXMHC10A07T8TA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A, 800mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 138pF @ 60V |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-223-8 |
| 공급자 장치 패키지 | SM8 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1880pF @ 10V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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