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W97AH6KBVX2I TR

W97AH6KBVX2I TR

참조 용

부품 번호 W97AH6KBVX2I TR
PNEDA 부품 번호 W97AH6KBVX2I-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
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W97AH6KBVX2I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W97AH6KBVX2I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W97AH6KBVX2I TR, W97AH6KBVX2I TR 데이터 시트 (총 페이지: 127, 크기: 3,549.78 KB)
PDFW97AH6KBQX2I 데이터 시트 표지
W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 2 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 3 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 4 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 5 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 6 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 7 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 8 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 9 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 10 W97AH6KBQX2I 데이터 시트 페이지 11

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W97AH6KBVX2I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-VFBGA
공급자 장치 패키지134-VFBGA (10x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

CY62128BLL-70SXC

Cypress Semiconductor

제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

AT28HC64B-12TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

MT53D2048M32D8QD-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

64Gb (2G x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C09359AV-9AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

144Kb (8K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

67MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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