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W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

참조 용

부품 번호 W978H2KBQX2I
PNEDA 부품 번호 W978H2KBQX2I
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,480
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W978H2KBQX2I 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W978H2KBQX2I
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W978H2KBQX2I, W978H2KBQX2I 데이터 시트 (총 페이지: 122, 크기: 4,121.3 KB)
PDFW978H6KBQX2I 데이터 시트 표지
W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 2 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 3 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 4 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 5 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 6 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 7 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 8 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 9 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 10 W978H6KBQX2I 데이터 시트 페이지 11

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  • W978H2KBQX2I Distributor

W978H2KBQX2I 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스168-WFBGA
공급자 장치 패키지168-WFBGA (12x12)

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY14B256K-SP35XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

IDT71V632S8PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

2Mb (64K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.63V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CY7C1371KV33-100AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

IS42S16400J-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

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