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W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

참조 용

부품 번호 W947D6HBHX5E
PNEDA 부품 번호 W947D6HBHX5E
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W947D6HBHX5E 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W947D6HBHX5E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W947D6HBHX5E, W947D6HBHX5E 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 1,160.44 KB)
PDFW947D2HBJX6E 데이터 시트 표지
W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 2 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 3 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 4 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 5 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 6 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 7 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 8 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 9 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 10 W947D2HBJX6E 데이터 시트 페이지 11

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  • W947D6HBHX5E Distributor

W947D6HBHX5E 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-TFBGA
공급자 장치 패키지60-VFBGA (8x9)

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (1G x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-TBGA

공급자 장치 패키지

100-TBGA (12x18)

MSP17LV164-E1-TH-001

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS43TR16128C-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

195ps

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

6116LA120TDB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

120ns

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

24-CDIP

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