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W25Q80BLSVIG TR

W25Q80BLSVIG TR

참조 용

부품 번호 W25Q80BLSVIG TR
PNEDA 부품 번호 W25Q80BLSVIG-TR
설명 IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP
제조업체 Winbond Electronics
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W25Q80BLSVIG TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q80BLSVIG TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q80BLSVIG TR, W25Q80BLSVIG TR 데이터 시트 (총 페이지: 74, 크기: 2,791.97 KB)
PDFW25Q80BLSVIG 데이터 시트 표지
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W25Q80BLSVIG TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지800µs
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-VSOP

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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장착 유형

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패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

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MT45W4MW16BFB-708 L WT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x9)

M58LR128KT85ZB6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

56-VFBGA (7.7x9)

IS45S16160D-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

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