W25M02GVTBIT TR
참조 용
| 부품 번호 | W25M02GVTBIT TR |
| PNEDA 부품 번호 | W25M02GVTBIT-TR |
| 설명 | IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA |
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,844 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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W25M02GVTBIT TR 리소스
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W25M02GVTBIT TR 사양
| 제조업체 | Winbond Electronics |
| 시리즈 | SpiFlash® |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기 | 2Gb (256M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 104MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 700µs |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 24-TBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 24-TFBGA (6x8) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 35ns 접근 시간 35ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-DIP |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 36Kb (4K x 9) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 20ns 접근 시간 20ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 52-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지 52-PLCC (19.13x19.13) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 48-SSOP |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-TFBGA (6.4x10.1) |
