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VT6X2T2R

VT6X2T2R

참조 용

부품 번호 VT6X2T2R
PNEDA 부품 번호 VT6X2T2R
설명 TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 3 - 7월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VT6X2T2R 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VT6X2T2R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
VT6X2T2R, VT6X2T2R 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,216.35 KB)
PDFVT6X2T2R 데이터 시트 표지
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VT6X2T2R 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
전력-최대150mW
주파수-전환350MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD
공급자 장치 패키지VMT6

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Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

330mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

BC847CDXV6T1H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563-6

NSVEMX1DXV6T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

500mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

2N3810

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 100µA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

전력-최대

600mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

MPQ3467

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

4 PNP (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

200nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

3W

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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