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VS-MURB2020CTR-M3

VS-MURB2020CTR-M3

참조 용

부품 번호 VS-MURB2020CTR-M3
PNEDA 부품 번호 VS-MURB2020CTR-M3
설명 DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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재고 있음 2,124
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-MURB2020CTR-M3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-MURB2020CTR-M3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
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VS-MURB2020CTR-M3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈FRED Pt®
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 16A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr15µA @ 200V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB (D²PAK)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

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1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

90A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 280A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 1600V

작동 온도-접합

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 35V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

MBRF2535CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

820mV @ 12.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 35V

작동 온도-접합

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

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VS-301CNQ045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 45V

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