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VS-GT105LA120UX

VS-GT105LA120UX

참조 용

부품 번호 VS-GT105LA120UX
PNEDA 부품 번호 VS-GT105LA120UX
설명 IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,610
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GT105LA120UX 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GT105LA120UX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • VS-GT105LA120UX Distributor

VS-GT105LA120UX 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)134A
전력-최대463W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)75µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1500A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 1500A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

88nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

A1P25S12M3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전력-최대

197W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1550pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

ACEPACK™ 1

APTGT150DU60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT100DA120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

520W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

APTGF180H60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

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