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V8PAM12-M3/I

V8PAM12-M3/I

참조 용

부품 번호 V8PAM12-M3/I
PNEDA 부품 번호 V8PAM12-M3-I
설명 DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 24 - 6월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

V8PAM12-M3/I 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호V8PAM12-M3/I
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
V8PAM12-M3/I, V8PAM12-M3/I 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 147.03 KB)
PDFV8PAM12HM3/I 데이터 시트 표지
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V8PAM12-M3/I 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈eSMP®, TMBS®
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)120V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If880mV @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 120V
커패시턴스 @ Vr, F730pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
공급자 장치 패키지DO-221BC (SMPA)
작동 온도-접합-40°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2200V

전류-평균 정류 (Io)

1100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.11V @ 3000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150mA @ 2200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

작동 온도-접합

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Diodes Incorporated

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

350V

전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.29V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 240V

커패시턴스 @ Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

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GP2D003A060A

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제조업체

Global Power Technologies Group

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 3A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

158pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

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전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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