UT6J3TCR
참조 용
| 부품 번호 | UT6J3TCR |
| PNEDA 부품 번호 | UT6J3TCR |
| 설명 | -20V PCH+PCH POWER MOSFET |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 27,534 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UT6J3TCR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UT6J3TCR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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UT6J3TCR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2000pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-PowerUDFN |
| 공급자 장치 패키지 | HUML2020L8 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1605pF @ 20V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-PowerQFN 공급자 장치 패키지 PlnPAK |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 112A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 152nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 25V 전력-최대 150W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUSi5-Pak™ |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 PowerPAIR®, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 15V, 650pF @ 15V 전력-최대 16W, 16.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power33 (3x3) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A, 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 485pF @ 15V 전력-최대 3.5W, 3.9W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7000pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
