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US5U35TR

US5U35TR

참조 용

부품 번호 US5U35TR
PNEDA 부품 번호 US5U35TR
설명 MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
제조업체 Rohm Semiconductor
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US5U35TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호US5U35TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
US5U35TR, US5U35TR 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,637.01 KB)
PDFUS5U35TR 데이터 시트 표지
US5U35TR 데이터 시트 페이지 2 US5U35TR 데이터 시트 페이지 3 US5U35TR 데이터 시트 페이지 4 US5U35TR 데이터 시트 페이지 5 US5U35TR 데이터 시트 페이지 6 US5U35TR 데이터 시트 페이지 7 US5U35TR 데이터 시트 페이지 8 US5U35TR 데이터 시트 페이지 9 US5U35TR 데이터 시트 페이지 10 US5U35TR 데이터 시트 페이지 11

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US5U35TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs800mOhm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.7nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds120pF @ 10V
FET 기능Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TUMT5
패키지 / 케이스6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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제조업체

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5070pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRF740

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

AUIRFS8409TRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

450nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14240pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF1405ZS-7P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK (7-Lead)

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

NVMFS4C01NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A (Ta), 319A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

139nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10144pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.84W (Ta), 161W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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