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UMC5NQ-7

UMC5NQ-7

참조 용

부품 번호 UMC5NQ-7
PNEDA 부품 번호 UMC5NQ-7
설명 PREBIASTRANSISTORSOT353
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 6,480
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UMC5NQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UMC5NQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
UMC5NQ-7, UMC5NQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 431.54 KB)
PDFUMC5NQ-7 데이터 시트 표지
UMC5NQ-7 데이터 시트 페이지 2 UMC5NQ-7 데이터 시트 페이지 3 UMC5NQ-7 데이터 시트 페이지 4 UMC5NQ-7 데이터 시트 페이지 5 UMC5NQ-7 데이터 시트 페이지 6

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UMC5NQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환250MHz
전력-최대290mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지SOT-353

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

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전력-최대

300mW

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Nexperia USA Inc.

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

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패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

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전력-최대

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