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UH2DHE3_A/I

UH2DHE3_A/I

참조 용

부품 번호 UH2DHE3_A/I
PNEDA 부품 번호 UH2DHE3_A-I
설명 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,330
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UH2DHE3_A/I 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UH2DHE3_A/I
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
UH2DHE3_A/I, UH2DHE3_A/I 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 85.75 KB)
PDFUH2DHE3/52T 데이터 시트 표지
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  • UH2DHE3_A/I Distributor

UH2DHE3_A/I 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F42pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

540mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

21pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Sanken

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

R7014003XXUA

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

4000V

전류-평균 정류 (Io)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.15V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

9µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 4000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, R62

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

NS8GTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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