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TS13002ACT B0G

TS13002ACT B0G

참조 용

부품 번호 TS13002ACT B0G
PNEDA 부품 번호 TS13002ACT-B0G
설명 TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 6 - 7월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TS13002ACT B0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TS13002ACT B0G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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TS13002ACT B0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 100mA, 10V
전력-최대600mW
주파수-전환4MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

330mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2SD1012G-SPA-AC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

80mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

280 @ 50mA, 2V

전력-최대

250mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

3-SIP

공급자 장치 패키지

3-SPA

FZT855TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

355mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V

전력-최대

3W

주파수-전환

90MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

2SA1587-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

350 @ 2mA, 6V

전력-최대

100mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

USM

2SC4793,NSEIKIF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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