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TPS2815DG4

TPS2815DG4

참조 용

부품 번호 TPS2815DG4
PNEDA 부품 번호 TPS2815DG4
설명 IC DUAL HS MOSFET DRIVER 8SOIC
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 5,184
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPS2815DG4 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPS2815DG4
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TPS2815DG4 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4V ~ 14V
논리 전압-VIL, VIH1V, 4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)14ns, 15ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

1.7µs, 2.5µs

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

18-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

18-PDIP

TPS2811PWR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

2SP0320T2C0-12

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

20A, 20A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 1.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6613BECBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

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