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TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

참조 용

부품 번호 TPC8213-H(TE12LQ,M
PNEDA 부품 번호 TPC8213-H-TE12LQ-M
설명 MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8213-H(TE12LQ 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC8213-H(TE12LQ,M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TPC8213-H(TE12LQ, TPC8213-H(TE12LQ 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 221.78 KB)
PDFTPC8213-H(TE12LQ 데이터 시트 표지
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TPC8213-H(TE12LQ 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds625pF @ 10V
전력-최대450mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP (5.5x6.0)

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2152pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

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장착 유형

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1840pF @ 800V

전력-최대

20mW (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

495A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1360nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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