TPC8212-H(TE12LQ,M
참조 용
| 부품 번호 | TPC8212-H(TE12LQ,M |
| PNEDA 부품 번호 | TPC8212-H-TE12LQ-M |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,382 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택) |
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TPC8212-H(TE12LQ 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPC8212-H(TE12LQ,M |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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TPC8212-H(TE12LQ 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 840pF @ 10V |
| 전력-최대 | 450mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP (5.5x6.0) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 25V 전력-최대 3.2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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