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TF414T5G

TF414T5G

참조 용

부품 번호 TF414T5G
PNEDA 부품 번호 TF414T5G
설명 IC JFET N-CH 40V XDFN3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 378,096
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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TF414T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TF414T5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
TF414T5G, TF414T5G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 272.25 KB)
PDFTF414T5G 데이터 시트 표지
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TF414T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)50µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id4V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds0.7pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

240µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.1pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

30mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1123

공급자 장치 패키지

3-USFP

2SK715V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72

공급자 장치 패키지

3-SPA

2N4092

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/431

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

U440-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

500mW

작동 온도

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Through Hole

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