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TF202THC-5-TL-H

TF202THC-5-TL-H

참조 용

부품 번호 TF202THC-5-TL-H
PNEDA 부품 번호 TF202THC-5-TL-H
설명 JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.2392
500 ---------- $0.2280
1,000 ---------- $0.2168
2,500 ---------- $0.2056
5,000 ---------- $0.1962
10,000 ---------- $0.1869
재고 있음 81,614
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TF202THC-5-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TF202THC-5-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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TF202THC-5-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)210µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-VTFP

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2SK3666-4-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

2N5114

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

90mA @ 18V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

75 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

2SK3796-3-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

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