TC58BYG0S3HBAI6
참조 용
| 부품 번호 | TC58BYG0S3HBAI6 |
| PNEDA 부품 번호 | TC58BYG0S3HBAI6 |
| 설명 | IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA |
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 10,418 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TC58BYG0S3HBAI6 리소스
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TC58BYG0S3HBAI6 사양
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 시리즈 | Benand™ |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기 | 1Gb (128M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 25ns |
| 접근 시간 | 25ns |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 67-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 67-VFBGA (6.5x8) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM 메모리 크기 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 70ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 133-VFBGA 공급자 장치 패키지 133-VFBGA (8x8) |
