TC4626EOE
참조 용
| 부품 번호 | TC4626EOE |
| PNEDA 부품 번호 | TC4626EOE |
| 설명 | IC MOSFET DVR INV 1.5A 16SOIC |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,362 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 27 - 7월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TC4626EOE 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TC4626EOE |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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TC4626EOE 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | High-Side or Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4V ~ 6V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 1.5A, 1.5A |
| 입력 유형 | Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 33ns, 27ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-TDFN (3x3) |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 5.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1A, 1A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 108V 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 10.6A, 11.4A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 23ns, 19ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-MLP (3x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 0.7V, 3.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 35V 상승 / 하강 시간 (일반) 16ns, 11ns 작동 온도 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (2x2) |
제조업체 Power Integrations 시리즈 SCALE™-1 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 14.5V ~ 15.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 18A, 18A 입력 유형 - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 100ns, 100ns 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
