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SVC276-TL-E

SVC276-TL-E

참조 용

부품 번호 SVC276-TL-E
PNEDA 부품 번호 SVC276-TL-E
설명 DIODE FM VARICAP TWIN VR 8V MCP3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $2.8845
250 ---------- $2.7493
500 ---------- $2.6141
1,000 ---------- $2.4788
2,500 ---------- $2.3662
5,000 ---------- $2.2535
재고 있음 8,574
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SVC276-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SVC276-TL-E
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
SVC276-TL-E, SVC276-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 324.84 KB)
PDFSVC276-TL-E 데이터 시트 표지
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SVC276-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F23.78pF @ 8V, 1MHz
커패시턴스 비율3.1
커패시턴스 비율 조건C2/C8
전압-피크 역방향 (최대)16V
다이오드 유형1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F100 @ 2V, 100MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지3-MCPH

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커패시턴스 비율

9.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

ZDC834ATC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

51.7pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

6.5

커패시턴스 비율 조건

C2/C20

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BB55502VH7912XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.3pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

9.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

BB 689 E7902

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

23.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

SMV1249-996LF

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

다이오드 유형

-

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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