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SUD50NP04-77P-T4E3

SUD50NP04-77P-T4E3

참조 용

부품 번호 SUD50NP04-77P-T4E3
PNEDA 부품 번호 SUD50NP04-77P-T4E3
설명 MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 6,588
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SUD50NP04-77P-T4E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SUD50NP04-77P-T4E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SUD50NP04-77P-T4E3, SUD50NP04-77P-T4E3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 168.95 KB)
PDFSUD50NP04-77P-T4E3 데이터 시트 표지
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SUD50NP04-77P-T4E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel, Common Drain
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs37mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds640pF @ 20V
전력-최대10.8W, 24W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지TO-252-4L

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 13A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

700mW, 1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power33 (3x3)

BUK9K45-100E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2152pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

MCH6660-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A, 1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

136mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

128pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

APTM08TDUM04PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

153nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4530pF @ 25V

전력-최대

138W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

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1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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