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SUD15N15-95-E3

SUD15N15-95-E3

참조 용

부품 번호 SUD15N15-95-E3
PNEDA 부품 번호 SUD15N15-95-E3
설명 MOSFET N-CH 150V 15A TO252
제조업체 Vishay Siliconix
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SUD15N15-95-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SUD15N15-95-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SUD15N15-95-E3, SUD15N15-95-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 146.54 KB)
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SUD15N15-95-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs95mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.7W (Ta), 62W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

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전력 손실 (최대)

62W (Tc)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

645pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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7A (Tc)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

665mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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-

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